+7 (917) 509-40-15 +7 (495) 128-16-55 shop@495pribor.ru
все разделы

Р5058

Р5058

Р5058

  • Состояние: Складское хранение

Мост переменного тока Р5058 предназначен для измерения емкости и тангенса угла потерь конденсаторов и других объектов измерения, а также для измерения проводимости и остаточной емкости высокоомных резисторов. Устройство эффективно применяется в различных областях научных исследований, инженерных расчетов и производственных процессов.

Технические характеристики

    Мост переменного тока Р5058 (Р-5058, Р 5058, p5058, p-5058, p 5058)

 

    Мост переменного тока Р5058 применяется для измерения емкости и тангенса угла потерь конденсаторов, проводимости и остаточной емкости резисторов высокого сопротивления.

 

    Технические характеристики приборов мосты переменного тока Р5058:

 

    Рабочие частоты, поддиапазоны измерений и допускаемые погрешности измерений прибора представлены в таблице 1;

 

    Таблица 1 Рабочие частоты, поддиапазоны измерений и допускаемые погрешности измерений моста переменного тока Р5058

 

Измеряемый параметр Частота Поддиапазон измерений Максимальное значение измеряемого параметраПредел допускаемой основной погрешности моста переменного тока Р5058
δо Δ
С, tgδ 0,05кГц 10,00нФ-99,99нФ 0,5кГц 1% 0,05tgδ+
5∙10-3
100,0нФ-999,9нФ
1,000мкФ-9,999мкФ
10,00мкФ-99,99мкФ —
100,0мкФ-999,9мкФ 2%
1кГц 0,02пФ-99,99пФ 1кГц 0,5+0,004х
(1000/С-1)%		 —
100,0пФ-999,9пФ 0,5%
1,000нФ-9,999нФ 0,02tgδ+
2∙10-3
10,00нФ-99,99нФ 0,2% 0,01tgδ+
1∙10-3
100,0нФ-999,9нФ 0,005tgδ+
5∙10-4
1,000мкФ-9,999мкФ 0,5% 0,01tgδ+
1∙10-3
10,00мкФ-99,99мкФ 1% 0,02tgδ+
5∙10-3
10кГц 0,02пФ-99,99пФ 0,5кГц 1+0,002х
(1000/С-1)%		 —
100,0пФ-999,9пФ 1% 0,02tgδ+
2∙10-3
1,000нФ-9,999нФ 0,5% 0,01tgδ+
2∙10-3
10,00нФ-99,99нФ
100,0нФ-999,9нФ 1% 0,02tgδ+
5∙10-3
С, Gо 0,5 (при tgδ≤0,5) 10,00нФ-99,99нФ 31,4мкСм 2 0,02Gо+
0,5мкСм
100,0нФ-999,9нФ 0,314мСм 0,2Gо+
0,005мСм
1,000мкФ-9,999мкФ 3,14мСм 0,2Gо+
0,5мСм
10,00мкФ-99,99мкФ 6,2мСм —
1 (при tgδ≤1) 0,02пФ-99,99пФ 628нСм 0,5+0,004х
(1000/С-1)%		 —
100,0пФ-999,9пФ 6,28мкСм 0,5% 0,05Gо+
0,005мкСм
1,000нФ-9,999нФ 62,8мкСм 0,2% 0,02Gо+
0,5мкСм
10,00нФ-99,99нФ 628мкСм 0,2% 0,01Gо+
0,2мкСм
100,0нФ-999,9нФ 6,28мСм 0,5% 0,02Gо+
0,005мСм
1,000мкФ-9,999мкФ 62,8мСм 1% —
10 (при tgδ≤0,1) 100,0пФ-999,9пФ 6,28мкСм 2% 0,02Gо+
0,1мкСм
1,000нФ-9,999нФ 62,8мкСм 0,02Gо+
2мкСм
10,00нФ-99,99нФ 628мкСм 0,02Gо+
10мкСм
100,0нФ-999,9нФ 6,28мСм —
L, Rо 0,5 (при tgδ≤0,5) 10,00Гн-99,99Гн 15 кОм
1,000Гн-9,999Гн 1,5 кОм
1 (при tgδ≤0,5) 1,000Гн-9,999Гн 31,4 кОм 0,5%
10,00мГн-999,9мГн 3,14 кОм 0,2% 0,02Rо+
0,005 кОм

1 (при tgδ≤1) 10,00Гн-99,99Гн 628,0 Ом 0,02Rо+
0,5 Ом

1,000Гн-9,999Гн 62,80 Ом 0,05Rо+
0,05 Ом

100,0мкГн-999,9мкГн 6,280 Ом 0,5% 0,05Rо+
0,20 Ом

0,03мкГн-99,99мкГн 628,30 мОм 0,5+0,003х
(1000/L-1%)		 —
10 (при tgδ≤0,1) 100,0мГн-999,9мГн 9,99 кОм 1% 0,05Rо+
0,05 Ом

10,00мГн-99,99мГн 999 Ом 0,05Rо+
5 Ом

1,000мГн-9,999мГн 99,9 Ом 0,05Rо+
0,5 Ом

100,0мкГн-999,9мкГн 9,99 Ом —
R, Lо 1 (при τ≤100мкс) 1,000 МОм-9,999 МОм — —
100,0 кОм-999,9 кОм 1,00Гн 1%
10,00 кОм-99,99 кОм 0,5% 0,05Lо+
0,005Гн
1,000 кОм-9,999 кОм 999,9мГн 0,2% 0,02Lо+
0,5мГн
100,0 Ом-999,9 Ом 99,99мГн 0,05Lо+
0,05мГн
10,00 Ом-99,99 Ом 9,999мГн 0,2+0,05х
(100/R-1)%		 —
1,000 Ом-9,999 Ом 999,9мкГн 0,5+0,2х
(