Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные

Технические характеристики

Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные

Также эти изделия могут называться: optothyristor and optothyristor-diode modules.

Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока, частотой до 500 Гц и применяются в устройствах, требующих гальванической развязки силовых и управляющих цепей.

Условные обозначения:

Модуль МД(ТО)ТО(Д)4(6,8,9)/3(6)- 40(63,80,100,125,160,200,250), где

М — модуль беспотенциальный.

Обозначение прибора первого вида или второго вида:

— Д — выпрямительный диод;

— ТО — оптронный тиристор (оптотиристор).

4, 6, 8, 9 — порядковый номер модификации корпуса модуля.

Обозначение вида схемы:

— 3 — два полупроводниковых прибора, включенных последовательно (соответственно) с выводом средней точки;

— 6 — два полупроводниковых прибора, включенных встречно-параллельно.

40, 63, 80, 100, 125, 160, 200, 250 — максимально допустимый средний прямой ток (в А).

Модули оптотиристорные и оптотиристорно-диодные, которые есть в наличии на нашем складе:

Варианты исполнения модулей оптотиристорных и оптотиристорно-диодных в зависимости от вида приёмки:

— ОТК — отдел технического контроля;

— ОС — особо стойкие (особо стабильные);

— ПЗ — приемка заказчика;

— ВП — военная приемка.

Технические характеристики:

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDRM) и обратное напряжение (URRM) — от 400 В до 1600 В.

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии (ITAVM) и прямой ток (IFAVM) — от 40 А до 250 А.

Ударный ток в открытом состоянии (ITSM) и прямой ток (IFSM) — от 1,25 кА до 6 кА.

Тепловые параметры.

Максимально допустимая температура перехода (Tjm) — +100° С.

Минимальная допустимая температура перехода (Tjmin) — (-40)° С.

Температура корпуса (TC) модулей оптотиристорных — +60° С.

Тепловое сопротивление переход-корпус (Rthjc) одного элемента при постоянном токе для модификации корпусов:

— 4 — не более 0,6°С /Вт;

— 6, 8 — не более 0,25°С /Вт;

— 9 — не более 0,13°С /Вт.

Тепловое сопротивление корпус-охладитель (Rthch) одного элемента при постоянном токе — не более 0,1°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-среда (Rthja) одного элемента при естественном охлаждении и постоянном токе для модификации корпусов:

— 4 — не более 1,45°С /Вт;

— 6, 8 — не более 1,85°С /Вт.

Рекомендуемые охладители для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

— 4 — ОР344-120; ОР344-180;

— 6, 8 — ОР344-120; ОР344-180; ОР344-240; ОР344-300; ОР344-350.

О127 заменяется на ОР344-120, О227 заменяется на ОР344-180.

Обратные параметры.

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDSM) и обратное напряжение (URSM) при одиночном однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения длительностью не более 10 мс, температуре перехода (Tj) +25° С и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) — от 450 В до 1800 В.

Постоянное напряжение в закрытом состоянии (UD) и обратное напряжение (UR) при температуре корпуса (TC) — 0,6·UDRM (0,6·URRM).

Импульсное рабочее напряжение в закрытом состоянии (UDWM) и обратное напряжение (URWM) при однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения частотой 50 Гц, длительностью не более 10 мс, температуре перехода (Tj) +25° С и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) — 0,8·UDRM (0,8·URRM).

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (duD/dt)crit при равенстве напряжений UDM и 0,67·UDRM, времени tu min 200 мкс и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) для группы модулей оптотиристорных:

— 0 — не нормируется, не менее 10 В/мкс;

— 1 — не менее 20 В/мкс;

— 2 — не менее 50 В/мкс;

— 3 — не менее 100 В/мкс;

— 4 — не менее 200 В/мкс;

— 5 — не менее 320 В/мкс;

— 6 — не менее 500 В/мкс;

— 7 — не менее 1000 В/мкс.

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (IDRM) и обратный ток (IRRM) (кроме модификации корпусов 9):

— при температуре перехода (Tj) +25° С — не более 5 мА;

— при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) и равенстве UR и URRM (UD и UDRM) (цепь управления разомкнута) — не более 20 мА.

Прямые параметры.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMS) и прямой ток (IFRMS) при однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения частотой 50 Гц, длительностью не более 10 мс и температуре корпуса (TC) модулей оптотиристорных — от 63 А до 392 А.

Импульсное напряжение в открытом состоянии (UTM) и прямое напряжение (UFM) при одиночном однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения длительностью не менее 500 мкс, ток IT 3,14·ITAVM (IF 3,14·IFAVM) и температуре перехода (Tj) +25° С — не более 1,75 В.

Пороговое напряжение в открытом состоянии (UT(TO)) и пороговое напряжение (UTO) при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) — не более 1,1 В.

Динамическое сопротивление в прямом направлении (rT) при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) для модификации корпусов:

— 4/3 — от 2,6 мОм до 5,2 мОм;

— 4/6 — от 1,1 мОм до 8,4 мОм;

— 6, 8 — от 1,1 мОм до 2,4 мОм.

Ток включения (IL) (для модификации корпусов 4/3) — 70 мА; 100 мА.

Ток удержания (IH) при температуре перехода (Tj) +25° С и равенстве UD 12·В (цепь управления разомкнута) для модификации корпусов модулей оптотиристорных:

— 4/3 — не более 70 мА;

— 4/6, 4, 6, 8 — не более 100 мА.

Средний ток в открытом состоянии (ITAV) и прямой ток по элементам (IFAV) при работе одного модуля с охладителем, естественном охлаждении и температуре окружающей среды (Ta) +40° С для модификации корпусов:

— 4/3 — от 30 А до 47 А;

— 6, 8 — от 28 А до 44 А.

Параметры управления.