ЛПИ-112

Состояние: Складское хранение

Лазер полупроводниковый инжекционного импульсного режима ЛПИ-112 представляет собой мощный источник инфракрасного лазерного излучения. Устройство обладает максимальной мощностью импульса не менее 200 Вт и испускает лазерное излучение в диапазоне длин волн от 850 нм до 930 нм. ЛПИ-112 может применяться в различных областях, где требуется высокая мощность и точность лазерного излучения.

Технические характеристики

Полупроводниковый инжекционный лазер ЛПИ-112

Также это изделие может называться: ЛПИ 112, ЛПИ112, lpi-112, lpi 112, lpi112.

ЛПИ-112 представляет собой лазер полупроводникового инжекционного типа, работающий в импульсном режиме и предназначен для генерации инфракрасного лазерного излучения.

Эти лазеры широко применяются в оптической локации, специальной технике и медицинском оборудовании.

Основные характеристики ЛПИ-112:

Мощность импульса лазерного излучения не менее 200 Вт.

Длина волны лазерного излучения в диапазоне от 850 нм до 930 нм.

Длительность импульсов не менее 0,2 мкс (по уровню 0,5).

Частота повторения импульсов 110 Гц.

Потребляемый ток составляет 200 мА.

Напряжение питания:

— для цепи управления 24 В;

— для лазера не более 100 В.

Лазеры выполнены с использованием матриц арсенид-галиевых лазерных диодов и помещены в цилиндрические металлические корпуса с выходом излучения через стеклянное окно.

Конструктивное исполнение может быть как с встроенными гибридными микросборками генераторов токов накачки, так и без них.

Варианты исполнения ЛПИ-112 в зависимости от требований:

— для отдела технического контроля — ЛПИ-112 ОТК;

— для повышенной стойкости — ОСЛПИ-112, ЛПИ-112 ОС;

— для индивидуальных заказов — ЛПИ-112 ПЗ;

— для военных нужд — ЛПИ-112 ВП.