Фототранзисторы кремниевые

Состояние: Складское хранение

Фототранзисторы кремниевые предназначены для использования в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в различных устройствах, таких как оптико-электронная аппаратура, системы фотоэлектрической автоматики, бесконтактные измерения температуры, вычислительная и измерительная техника, программно-управляемое оборудование и приборы. Фототранзисторы имеют спектральную чувствительность в диапазоне от 0,4 мкм до 1,1 мкм, а максимальное значение спектральной характеристики находится в диапазоне от 0,85 мкм до 0,95 мкм.

Технические характеристики

Фототранзисторы кремниевые

Также это изделие может называться: silicon phototransistors

Фототранзисторы кремниевые применяются в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в различных устройствах: оптико-электронной аппаратуре, системах фотоэлектрической автоматики, бесконтактных измерениях температуры, вычислительной и измерительной технике, а также в программно-управляемом оборудовании.

На складе имеются следующие модели фототранзисторов кремниевых:

КОФ-224А	КТФ104Б	ФТ-1К (гр.Б)
КОФ-224Б	КТФ104В	ФТ-1К-01
КТФ102А	КТФ108А	ФТ-1К-02
КТФ102А1	КТФ109А	ФТ-2К (гр.А)
КТФ102А4	У208А	ФТ-2К (гр.Б)
КТФ102А5	У208Б	ФТ-7Б
КТФ102АМ	У208В	ФТ-7Б-01
КТФ102АSp	ФТ-1К (гр.1)	ФТ-8Б
КТФ104А	ФТ-1К (гр.2)
КТФ104АSp	ФТ-1К (гр.А)

Для получения подробной информации о характеристиках фототранзисторов кремниевых обращайтесь к нашим менеджерам.

Технические характеристики:

Область спектральной чувствительности данного типа фототранзисторов составляет от 0,4 мкм до 1,1 мкм.

Максимальный пик спектральной чувствительности находится в диапазоне от 0,85 мкм до 0,95 мкм.

Корпус фототранзисторов может быть металлостеклянным или пластмассовым, обеспечивая герметичность.

Рабочее напряжение различных моделей фототранзисторов кремниевых варьируется в пределах от 5 В до 20 В в зависимости от типа.

Темновой ток фототранзисторов также разнится: от 0,001 мкА до 5 мкА в зависимости от модели.

Ресурс работы фототранзисторов может составлять от 1000 часов до 10 000 часов.

Фототранзисторы кремниевые обладают двумя p-n-переходами, что позволяет усилить фотосигнал.

В сравнении с фотодиодами, кремниевые фототранзисторы обладают более высокой интегральной чувствительностью, но также имеют больший темновой ток и меньшую граничную частоту. Кроме того, они более шумные и чувствительны к изменениям температуры. Кремниевые фототранзисторы обычно не имеют отдельного вывода базы.

Дополнительные обозначения для фототранзисторов кремниевых:

КОФ224А	КТФ-104Б	ФТ1К (гр.Б)
КОФ224Б	КТФ-104В	ФТ1К01
КТФ-102А	КТФ-108А	ФТ1К02
КТФ-102АМ	КТФ-109А	ФТ2К (гр.А)
КТФ-102А1	У-208А	ФТ2К (гр.Б)
КТФ-102А4	У-208Б	ФТ7Б
КТФ-102А5	У-208В	ФТ7Б01
КТФ-102АSp	ФТ1К (гр.1)	ФТ8Б
КТФ-104А	ФТ1К (гр.2)
КТФ-104АSp	ФТ1К (гр.А)