Модули симисторные

Технические характеристики

Модули симисторные

Также известные как: triac modules.

Модули симисторные предназначены для работы в цепях переменного тока с частотой до 500 Гц различных

электротехнических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре.

Условные обозначения:

Модуль М(МГ,МП)ТСТС4(7,8,11)/4(5,20)-10(16,50,63,80,100,125,160), где

— М — беспотенциальный;

— МГ — гибридный;

— МП — потенциальный.

ТС — обозначение прибора первого вида или второго вида (при его наличии) — симметричный триодный тиристор (триак).

4, 7, 8, 11 — порядковый номер модификации корпуса модуля.

Обозначение вида схемы:

— 4 — два полупроводниковых прибора, включенных встречно-последовательно с выводом средней точки соединенных вместе катодов (коллекторов, истоков);

— 5 — два полупроводниковых прибора, включенных встречно-последовательно с выводом средней точки соединенных вместе анодов (эмиттеров, стоков);

— 20 — другие виды схем, указанные в технических условиях на модули конкретных типов.

10, 16, 50, 63, 80, 100, 125, 160 — максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (в А).

Модули симисторные, доступные в наличии:

Варианты исполнения модулей симисторных в зависимости от вида приёмки:

— ОТК — отдел технического контроля;

— ОС — особо стойкие (особо стабильные);

— ПЗ — приемка заказчика;

— ВП — военная приемка.

Технические характеристики:

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDRM) — от 200 В до 1200 В.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMSM) — от 10 А до 160 А.

Ударный ток в открытом состоянии (ITSM) — от 70 А до 1,32 кА.

Тепловые параметры.

Максимально допустимая температура перехода (Tjm) — +125° С.

Минимальная допустимая температура перехода (Tjmin) — (-40)° С.

Температура корпуса (TC) — +85° С.

Тепловое сопротивление переход-корпус (Rthjc) одного элемента при постоянном токе для модификации корпусов модулей симисторных:

— 4 — не более 0,52°С /Вт;

— 7- не более 2,6°С /Вт;

— 8 — не более 0,27°С /Вт;

— 11 — не более 0,6°С /Вт.

Тепловое сопротивление корпус-охладитель (Rthch) одного элемента при постоянном токе для модификации корпусов:

— 4 — не более 0,3°С /Вт;

— 7- не более 0,8°С /Вт;

— 8 — не более 0,2°С /Вт;

— 11 — не более 0,57°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-среда (Rthja) одного элемента при естественном охлаждении и постоянном токе для модификации корпусов модулей симисторных:

— 4 — не более 1,48°С /Вт;

— 7- не более 6,2°С /Вт;

— 8 — не более 1,13°С /Вт;

— 11 — не более 3,97°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-среда одного элемента при принудительном охлаждение 6 м/с для модификации корпусов:

— 4 — не более 0,99°С /Вт;

— 8 — не более 0,64°С /Вт;

— 11 — не более 1,84°С /Вт.

Рекомендуемые охладители для модификации корпусов модулей симисторных:

— 4 — ОР344-120; ОР344-180;

— 7- ОР244-60; ОР244-80;

— 8 — ОР344-180; ОР344-240;

— 11 — ОР234-80.

Обратные параметры.

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDSM) при одиночном однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения длительностью не более 10 мс в каждом направлении и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) — от 225 В до 1300 В.

Постоянное напряжение в закрытом состоянии (UD) при температуре корпуса (TC) — 0,6·UDRM.

Импульсное рабочее напряжение в закрытом состоянии (UDWM) при однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения частотой 50 Гц и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) — 0,8·UDRM.

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения в закрытом состоянии (dUD/dt)crit при импульсах источника управления в форме експоненциальной с амплитудой не более 50 В, длительности фронта 1 мкс, сопротивлении не более 50 Ом, равенстве напряжений UDM и 0,67·UDRM, времени tu min 200 мкс, равенстве токов IT и ITRMSM, и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) для группы модулей симисторных:

— 0 — не менее 1 В/мкс;

— 1 — не менее 2,5 В/мкс;

— 2 — не менее 4 В/мкс;

— 3 — не менее 6,3 В/мкс;

— 4 — не менее 10 В/мкс;

— 5 — не менее 16 В/мкс;

— 6 — не менее 25 В/мкс;

— 7 — не менее 50 В/мкс;

— 8 — не менее 100 В/мкс.

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (IDRM) (цепь управления разомкнута):

— при температуре перехода (Tj) +25° С — не более 3 мА;

— при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) — не более 15 мА.

Прямые параметры.

Импульсное напряжение в открытом состоянии (UTM) при токе IT 1,41·ITRMSM и температуре перехода (Tj) +25° С — от 1,6 В до 1,8 В.

Пороговое напряжение в открытом состоянии (UT(TO)) при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) — не более 1 В.

Динамическое сопротивление в прямом направлении (rT) при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) для модификации корпусов модулей симисторных:

— 4 — 6,2 мОм; 8,4 мОм; 11 мОм;

— 7 — 31 мОм; 53 мОм;

— 8 — 2,9 мОм; 4 мОм; 5,3 мОм;

— 11 — 5,3 мОм; 7,3 мОм; 10 мОм.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMS) при работе охладителя, естественном охлаждении и температуре окружающей среды (Ta) +40° С для модификации корпусов:

— 4 — от 42 А до 57 А;

— 7 — от 10,7 А до 12,1 А;

— 8 — от 61 А до 88 А;

— 11 — от 20 А до 27 А.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMS) при принудительном охлаждение 6 м/с для модификации корпусов:

— 4 — от 56 А до 77 А;

— 8 — от 95 А до 130 А;

— 11 — от 36 А до 45 А.

Параметры управления.

Отпирающее постоянное напряжение управления (UGT) при равенстве UD 12·В и температуре перехода (Tj) +25° С для модификации корпусов модулей симисторных:

— 4, 8 — не более 3 В;

— 7 — не более 2 В.

Отпирающее постоянное напряжение управления (UGT) при равенстве UD 12·В и минимально