Модули гибридные оптосимисторные

Технические характеристики

Модули гибридные оптосимисторные

Также эти изделия могут называться: hybrid optosimistor modules.

Модули гибридные оптосимисторные предназначены для работы в цепях переменного тока частотой до 500 Гц различных электротехнических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре.

Условные обозначения:

Модуль МГТСО4(7,8,11,15)/16(17,18,19,22)- 10(16,25,32,40,50,63,80,100,125,160,200,250,320), где

МГ — модуль беспотенциальный гибридный.

ТСО — обозначение прибора первого вида — симметричный оптотиристор (оптотриак).

4, 7, 8, 11, 15 — порядковый номер модификации корпуса модуля.

Обозначение вида схемы:

— 16 — управление с опторазвязкой без контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль, силовая цепь — два тиристора включенных встречно-параллельно;

— 17 — управление с опторазвязкой и контролем перехода коммутируемого напряжения через ноль, силовая цепь — триак;

— 18 — управление с опторазвязкой и контролем перехода коммутируемого напряжения через ноль, силовая цепь — два тиристора включенных встречно-параллельно;

— 19 — управление с опторазвязкой без контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль, силовая цепь — триак;

— 22 — два тиристора включенных встречно-параллельно с раздельным управлением с опторазвязкой без контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль.

10, 16, 25, 32, 40, 50, 63, 80, 100, 125, 160, 200, 250, 320 — максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (в А).

Модули гибридные оптосимисторные, которые есть в наличии на нашем складе:

Варианты исполнения модулей гибридных оптосимисторных в зависимости от вида приёмки:

— ОТК — отдел технического контроля;

— ОС — особо стойкие (особо стабильные);

— ПЗ — приемка заказчика;

— ВП — военная приемка.

Технические характеристики:

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDRM) — от 400 В до 1600 В.

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии (ITRMSM) — от 10 А до 320 А.

Ударный ток в открытом состоянии (ITSM) — от 70 А до 3,5 кА.

Тепловые параметры.

Максимально допустимая температура перехода (Tjm) для модификации корпусов:

— 15 — +100° С;

— остальные — +110° С.

Минимальная допустимая температура перехода (Tjmin) — (-40)° С.

Температура корпуса (TC) модулей гибридных оптосимисторных — +70° С.

Тепловое сопротивление переход-корпус (Rthjc) модуля при постоянном токе для модификации корпусов:

— 4 — не более 0,25°С /Вт;

— 7 — не более 2°С /Вт;

— 8 — не более 0,13°С /Вт;

— 11 — не более 0,55°С /Вт;

— 15 — не более 0,45°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-корпус (Rthjc) одного элемента при постоянном токе для модификации корпусов модулей гибридных:

— 4 — не более 0,5°С /Вт;

— 8 — не более 0,26°С /Вт;

— 15 — не более 0,9°С /Вт.

Тепловое сопротивление корпус-охладитель (Rthch) для модификации корпусов:

— 4, 8 — не более 0,1°С /Вт;

— 7 — не более 0,2°С /Вт;

— 11, 15 — не более 0,15°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-среда (Rthja) при естественном охлаждении для модификации корпусов:

— 4 — не более 1,26°С /Вт;

— 7 — не более 5°С /Вт;

— 8 — не более 0,91°С /Вт;

— 11 — не более 3,5°С /Вт;

— 15 — не более 3,15°С /Вт.

Тепловое сопротивление переход-среда (Rthja) при принудительном охлаждение 6 м/с для модификации корпусов модулей гибридных:

— 4 — не более 0,77°С /Вт;

— 7 — не более 2,87°С /Вт;

— 8 — не более 0,51°С /Вт;

— 11 — не более 1,37°С /Вт;

— 15 — не более 1,72°С /Вт.

Рекомендуемые охладители для модификации корпусов:

— 4 — ОР344-180; ОР344-240;

— 7 — ОР224-60; ОР224-80;

— 8 — ОР344-120; ОР344-180;

— 11 — ОР234-60; ОР234-80;

— 15 — ОР274-80.

Обратные параметры.

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDSM) при одиночном однополупериодном синусоидальном импульсе напряжения длительностью не более 10 мс в каждом направлении и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) модулей гибридных — от 450 В до 1700 В.

Постоянное напряжение в закрытом состоянии (UD) при температуре корпуса (TC) — 0,6·UDRM.

Импульсное рабочее напряжение в закрытом состоянии (UDWM) при синусоидальном импульсе напряжения частотой 50 Гц, и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) — 0,8·UDRM.

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (duD/dt)crit при равенстве напряжений UDM и 0,67·UDRM, времени tu min не менее 200 мкс и максимально допустимой температуре перехода (Tjm) (цепь управления разомкнута) для группы:

— 2 — не менее 50 В/мкс;

— 3 — не менее 100 В/мкс;

— 4 — не менее 200 В/мкс;

— 5 — не менее 320 В/мкс.

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения в закрытом состоянии (dUD/dt)crit при импульсах источника управления в произвольной форме, напряжении фронта (UG) 2,5 В и длительностью (tG)1 мкс, сопротивлении цепи управления не более 50 Ом, равенстве напряжений UDM и 0,67·UDRM, времени tu min 250 мкс и ti 10 мс, равенстве токов IT и ITRMSM и температуре корпуса (TC)  +75° С для группы модулей гибридных:

— 1 — не менее 2,5 В/мкс;

— 2 — не менее 4 В/мкс;

— 3 — не менее 6,3 В/мкс;

— 4 — не менее 10 В/мкс;

— 5 — не менее 16 В/мкс;

— 6 — не менее 25 В/мкс;

— 7 — не менее 50 В/мкс;

— 8 — не менее 100 В/мкс.

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (IDRM) (цепь управления разомкнута):

— при температуре перехода (Tj) +25° С — не более 3 мА;

— при максимально допустимой температуре перехода (Tjm) — не более 20 мА.

Прямые параметры.

Им