Д234Б

Технические характеристики

Диод полупроводниковый Д234Б

Также это изделие может называться: Д 234 Б, Д-234-Б, Д23чБ, d234b, d 234 b, d-234-b.

Д234Б диод полупроводниковый предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц и имеет жёсткие выводы в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Технические характеристики Д234Б:

Средний обратный ток — не более 3 мА.

Среднее прямое напряжение при Iпр.ср.=Iпр.ср.макс и температуре:

— от -60° С до +75° С — не более 1,5 В;

— +130° С — не более 1 В.

Импульсное обратное напряжение изделий диоды Д234Б — 600 В.

Средний прямой ток при температуре:

— от -60° С до +75° С — 5 А;

— +130° С — 2 А.

Перегрузка Д234Б по среднему прямому току на частоте 50 Гц в течение 20 мс при температуре:

— +25° С — 50 А;

— от -60° С до +75° С — 25 А;

— +130° С — 10 А.

Максимально допустимый средний прямой ток 5 А при:

— частоте приложенного напряжения — 1,1 кГц;

— температуре корпуса диода — 75° С.

Постоянное прямое напряжение 1,5 В при:

— постоянном прямом токе диода — 5 А;

— температуре — +25° С.

Перегрузка по среднему прямому току на частоте 50 Гц в течение 1,5 мс при температуре:

— от -60° С до +75° С — 15 А;

— при +130° С — 6 А.

Частота без снижения электрических режимов Д234Б — 1,1 кГц.

Температура перехода — +150° С.

Температура окружающей среды — от -60° С до +130° С.

Температура корпуса диода — не более +130° С.

Усилия для затяжки к теплоотводу диода Д234Б — не более 1,96 Н∙м.

Максимальные усилия к изолированному выводу при монтаже — 9,8 Н.

Габаритные размеры — 44,3×31,75×21,5 мм.

Масса — не более 18 г.

Варианты исполнения диодов Д234Б в зависимости от вида приёмки:

— отдел технического контроля — Д234Б ОТК;

— особо стойкие (особо стабильные) — ОС Д234Б, Д234Б ОС;

— приемка заказчика — Д234Б ПЗ;

— военная приемка — Д234Б ВП.

При последовательном соединении диодов с целью увеличения выпрямленного напряжения рекомендуется применять диоды одного типа и шунтировать каждый прибор резистором сопротивлением от 10 кОм до 15 кОм на каждые 100 В амплитуды обратного напряжения.