Микросхемы серии 129

Описание продукта

Микросхемы серии 129

Также известны как: microchips series 129.

Интегральные микросхемы серии 129 предназначены для применения в качестве базовой схемы дифференциального усилителя и других балансных схем в различных устройствах радиоэлектроники.

Микросхемы серии 129 представляют собой сборку из двух биполярных транзисторов, выполненных по планарной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Они широко используются в радиоэлектронной аппаратуре.

Условные обозначения после номера серии:

— С1, З, Т1, У — корпус с золотым покрытием;

— С, Н, Т, У1 — корпус с покрытием «никель-бор»;

— С2 — никелированный корпус;

— ВК — комбинированные устройства;

— КЗ — каталитическое золото;

— Н1, Н11 — бескорпусное исполнение.

Условные обозначения перед номером серии:

— К — микросхемы приемки ОТК;

— КР — пластмассовый корпус;

— ОСМ — микросхема повышенной надежности, приемки ПЗ.

Наиболее популярные модели микросхем серии 129, которые доступны на складе:

Варианты исполнения микросхем серии 129 в зависимости от вида приемки:

— ОТК — отдел технического контроля;

— ОС — особо стойкие (особо стабильные);

— ПЗ — приемка заказчика;

— ВП — военная приемка.

Технические характеристики микросхемы серии 129:

 — некоторые технические параметры указаны через точку с запятой в зависимости от модели микросхемы; более подробную информацию смотрите в сравнительной таблице.

Обратный ток коллектора, не более — 20 нА.

Обратный ток эмиттера, не более — 50 нА.

Количество транзисторов — 2.

Начальный ток коллектора, не более — 50 нА.

Ток утечки между транзисторами, не более — 10 нА.

Статистический коэффициент прямой передачи тока в схеме с общим эммитером в режиме большого сигнала:

— при токе эммитера 1 мА — от 30 до 90; от 40 до 160; от 60 до 180;

— при токе эммитера 0,05 мА, не менее — 180.

Отношение статических коэффициентов прямой передачи тока в режиме большого сигнала для изделия микросхема серии 129:

— при токе эммитера 1 мА, не менее: 0,8; 0,9;

— при токе эммитера 0,05 мА, не менее: 0,8; 0,92.

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте, не менее; 2,5; 3,5; 4,5.

Модуль разности прямых напряжений база-эмиттер, не более: 3 мВ; 10 мВ.

Абсолютное измерение модуля разности напряжений база-эммитер, не более: 2 мВ; 6 мВ.

Прямое падение напряжения база-эмиттер транзисторов — от 0,55 до 0,75.

Емкость коллекторного перехода, не более — 3 пФ.

Емкость эмиттерного перехода, не более — 4 пФ.

Функциональное назначение 129 серии микросхем — базовая схема дифференциального усилителя.

Температура окружающего воздуха — от -60° С до +125° С.

Масса, не более — 0,004 г.

Сравнительная таблица микросхем серии 129:

Параметры надежности:

Минимальная наработка (Тнм) микросхем в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, блоках и аппаратуре (далее ГС):

— в обыкновенных режимах и условиях — 25 000 ч;

— в облегченных режимах — 40 000 ч.

Срок хранения набора биполярных транзисторов серии 129 с даты отгрузки до их герметизации в составе ГС — 18 мес.

На протяжении этого срока допускается:

— хранение микросхем у потребителя в упаковке предприятия-изготовителя в отапливаемом хранилище с кондиционированным воздухом — 10 мес;

— нахождение микросхем после их изъятия потребителем из упаковки предприятия-изготовителя в период производства ГС до герметизации — 8 мес.

Минимальный срок сохраняемости изделия 129 серия микросхем (Тсм), обеспечивается только в составе загерметизированных ГС при хранении в отапливаемом хранилище, хранилищах с кондиционированием воздуха, вмонтированных в защищенную аппаратуру в комплекте ЗИП, не менее — 25 лет.