Д2-40 аттенюатор

Д2-40 аттенюатор

  • Состояние: Складское хранение

Аттенюатор фиксированный резисторный модели Д2-40 предназначен для калиброванного ослабления напряжения (мощности) сигналов в коаксиальных линиях передач. Данный аттенюатор обладает диапазоном частот от 0 до 5 ГГц. Отклонения ослабления от номинального значения составляют ±1,5 дБ. Начальное ослабление этого аттенюатора составляет 40 дБ, что позволяет эффективно управлять уровнем сигнала в линиях передачи.

Технические характеристики

Аттенюатор фиксированный резисторный Д2-40

Также это изделие может называться: Д240, Д2 40, Д-240, Д 240, d2-40, d240, d2 40.

 

Д2-40 аттенюатор фиксированный резисторный предназначен для калиброванного ослабления напряжения (мощности) сигналов в коаксиальных линиях передач.

 

Сфера применения включает проведение исследований, производство и обслуживание радиоэлектронной аппаратуры и ее отдельных узлов.

 

Основные технические характеристики:

 

Диапазон частот составляет от 0 до 5 ГГц.

Отклонения ослабления от номинального значения составляют ±1,5 дБ.

Начальное ослабление аттенюатора Д2-40 равно 40 дБ.

 

Коэффициент стоячей волны (КСВ) на различных частотах:

— от 0 до 1,5 ГГц — 1,2;

— от 1,5 ГГц до 4 ГГц — 1,35;

— от 4 ГГц до 5 ГГц — 1,45.

 

Максимальная мощность, которую может выдержать аттенюатор Д2-40, — 1 Вт.

Входное сопротивление равно 50 Ом.

 

Рабочие условия:

— температурный диапазон: от +5° С до +40° С;

— относительная влажность при +30° С: 95%.

 

Габаритные размеры: 34×93 мм.

Масса изделия составляет 0,18 кг.

 

Аттенюаторы Д2-40 могут использоваться в генераторах сигналов, измерительных приемниках, измерителях мощности и других приборах для обеспечения развязки отдельных блоков и калиброванного ослабления сигналов.

 

Принцип работы аттенюатора Д2-40 заключается в ослаблении электромагнитной энергии, проходящей по коаксиальной линии, через ее поглощение в элементах с активными сопротивлениями или деление с помощью емкостей.

 

В качестве поглощающих элементов используются поверхностные резисторы с толщиной слоя, меньшей глубины скин-эффекта.