2Т117Г

Состояние: Складское хранение

Эпитаксиально-планарный кремниевый транзистор 2Т117Г с однопереходной структурой и базой n-типа специально разработан для использования в маломощных генераторах. Максимальная частота генерации этого устройства составляет 200 кГц. При напряжении включения UБ1Б2=10 В и силе тока коллектора 50 мА, время включения транзистора составляет не более 3 мкс при температуре +25° C и не более 5 мкс при температуре от -60° C до +125° C.

Технические характеристики

Транзистор 2Т117Г

Также известен как: 2Т 117 Г, 2Т-117-Г, 2t117g, 2t-117-g, 2t 117 g.

2Т117Г представляет собой кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходный транзистор с базой n-типа, спроектированный для работы в маломощных генераторах.

Технические характеристики 2Т117Г:

Максимальная частота генерации 2Т117Г составляет 200 кГц.

Время включения при определенных условиях не превышает 5 мкс.

Коэффициент передачи напряжения варьируется в зависимости от температуры и напряжения.

Остаточное напряжение эмиттер-база находится в пределах 4-5 В.

Транзистор обладает определенными характеристиками по току включения и выключения эмиттера, а также по току модуляции.

Различные параметры транзистора 2Т117Г указаны для разных температурных условий.

Металлический корпус транзистора обеспечивает надежное соединение и защиту.

Габаритные размеры: длина — 18,8 мм, диаметр — 5,84 мм.

Масса транзистора 2Т117Г не превышает 0,45 г.

Варианты исполнения транзисторов 2Т117Г включают различные виды приёмки, такие как отдел технического контроля, особо стойкие, приемка заказчика и военная приемка.

Условия эксплуатации варьируются в зависимости от температурных показателей окружающей среды и p-n перехода.