ЛПИ-113

Состояние: Складское хранение

Лазер полупроводниковый инжекционного импульсного режима ЛПИ-113 представляет собой мощный источник ИК лазерного излучения. Устройство обладает максимальной мощностью импульса не менее 500 Вт и работает в диапазоне длин волн от 850 нм до 930 нм. Лазер может применяться в различных областях, где требуется высокая мощность и точность излучения.

Технические характеристики

Полупроводниковый инжекционный лазер ЛПИ-113

Также это изделие может называться: ЛПИ 113, ЛПИ113, ЛПИ-11з, lpi-113, lpi 113, lpi113.

ЛПИ-113 лазер полупроводниковый инжекционный импульсного режима предназначен для использования в качестве мощного источника ИК лазерного излучения.

Лазеры ЛПИ-113 используются в устройствах оптической локации, спецтехнике, медицине.

Технические характеристики ЛПИ-113:

Максимальная мощность импульса лазерного излучения — не менее 500 Вт.

Длина волны лазерного излучения — от 850 нм до 930 нм.

Длительность импульсов лазерного излучения (по уровню 0,5) — не менее 0,2 мкс.

Частота повторения импульсов лазерного излучения для ЛПИ-113 — 110 Гц.

Ток потребления — 200 мА.

Напряжение питания:

— в цепи управления — 24 В;

— лазера — не более 100 В.

Лазеры выполнены:

— с применением матриц арсенид-галиевых излучающих лазерных диодов;

— в цилиндрических металлических корпусах с выводом излучения через стеклянное окно.

Конструктивное исполнение — со встроенными гибридными микросборками генераторов токов накачки и без них.

Варианты исполнения лазеров ЛПИ-113 в зависимости от вида приёмки:

— отдел технического контроля — ЛПИ-113 ОТК;

— особо стойкие (особо стабильные) — ОСЛПИ-113, ЛПИ-113 ОС;

— приемка заказчика — ЛПИ-113 ПЗ;

— военная приемка — ЛПИ-113 ВП.