Г6-29

Состояние: Складское хранение

Генератор сигналов специальной формы модели Г6-29 предназначен для исследования, настройки и испытаний различных систем и приборов, применяемых в радиоэлектронике, связи, промышленной автоматике, вычислительной и измерительной технике, а также в приборостроении. Устройство обладает диапазоном частот от 0,001 Гц до 1 МГц и выходным напряжением от 500 мкВ до 5 В. Генератор обеспечивает точную настройку и стабильную работу, что делает его незаменимым инструментом для проведения разнообразных измерений и испытаний в указанных областях техники.

Технические характеристики

Генератор сигналов специальной формы Г6-29

Также известен как: Г6 29, Г629, Г-6-29, g6-29, g6 29, g629.

Генератор сигналов специальной формы Г6-29 предназначен для исследования, настройки и испытаний систем и приборов в различных областях применения: радиоэлектроника, связь, промышленная автоматика, вычислительная и измерительная техника, приборостроение.

Основные характеристики Г6-29:

Диапазон частот: от 0,001 Гц до 1 МГц.

Выходное напряжение: от 500 мкВ до 5 В.

Погрешность частоты:

— в диапазоне от 0,1 Гц до 100 кГц — ±1%;

— в диапазоне от 0,001 Гц до 0,1 Гц и от 100 кГц до 1 МГц — ±2%.

Погрешность установки и контроля амплитуды:

— для синусоидальных сигналов — ±1% до 100 кГц, ±6% до 1 МГц;

— для прямоугольных сигналов — ±2%;

— для треугольных сигналов — ±3%.

Максимальная амплитуда выходного сигнала: не менее 5 В/50 Ом или 5 В/600 Ом.

Формы выходных сигналов: синусоидальная, треугольная, прямоугольная, пилообразная-импульсная.

Управление частотой и амплитудой: внешнее электронное.

Габариты: 490×135×370 мм.

Масса: не более 12 кг.

Генератор Г6-29 обеспечивает электронное управление частотой и сигналом постоянной составляющей выходного сигнала. Встроенный аттенюатор обеспечивает ослабление сигналов всех форм до 60 дБ. Возможность измерения амплитуды с помощью широкополосного осциллографа, вольтметра и источника постоянного тока. Генератор содержит автоматический компенсатор частотных ошибок.

Изготовлен на основе современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.