ФЭ724-Т

Состояние: Складское хранение

Фотоэлемент ФЭ724-Т является фотоэлектрическим полупроводниковым устройством с охлаждением, предназначенным для использования в качестве фоточувствительного элемента в различных электронных схемах и устройствах. Он идеально подходит для спектрально-аналитической, тепловизионной, пирометрической аппаратуры и систем обеспечения безопасности. Фотоэлемент обладает собственной постоянной времени по нарастанию и спаду сигнала менее 10 мкс. Его спектральная чувствительность достигает максимума на длине волны 3,9±0,2 мкм.

Технические характеристики

Фотоэлемент фотоэлектрический полупроводниковый ФЭ724-Т

Также это изделие может называться: ФЭ724 Т, ФЭ724Т, ФЕ724-Т, ФЄ724-Т, fe724-t, fe724 t, fe724t.

ФЭ724-Т фотоэлемент фотоэлектрический полупроводниковый охлаждаемый предназначен для применения в различных электронных схемах и приборах. Он используется в спектрально-аналитической, тепловизионной, пирометрической аппаратуре и системах безопасности.

Данный вид фотоэлементов имеет два варианта конструкции: ФЭ724-Т-1 и ФЭ724-Т-2.

Технические характеристики ФЭ724-Т:

Постоянная времени по нарастанию и спаду сигнала — не более 10 мкс.

Длина волны максимума спектральной чувствительности — 3,9±0,2 мкм.

Фотогальванические ФЭПП для средней ИК-области спектра ФЭ724-Т представлены в таблице:

Вариант конструкции				ФЭ724-Т-1	ФЭ724-Т-2
Эффективная площадь фоточувствительного элемента				1 мм	2 мм
Группа по значению электрических параметров фотоэлементов	А	Сопротивление до 1 кОм	Сила тока короткого замыкания		не менее 60 мкА
			Напряжение короткого замыкания		не менее 60 мкА
	Б	Сопротивление от 1 кОм до 1,5 кОм	Сила тока короткого замыкания	не менее 50 мкА
			Напряжение холостого хода	не менее 55 мВ	не менее 75 мВ
	В	Сопротивление от 1,5 кОм до 3 кОм	Сила тока короткого замыкания	не менее 40 мкА
			Напряжение холостого хода	не менее 75 мВ	не менее 100 мВ
	Г	Сопротивление от 3 кОм до 7 кОм	Сила тока короткого замыкания	не менее 30 мкА
			Напряжение холостого хода	не менее 80 мВ	не менее 120 мВ
	Д	Сопротивление от 0,5 кОм до 7 кОм	Сила тока короткого замыкания	не менее 27 мкА
			Напряжение холостого хода	не менее 45 мВ	не менее 75 мВ

Коротковолновая граница спектральной чувствительности — 1±0,2 мкм.

Длинноволновая граница спектральной чувствительности — 4,9±0,2 мкм.

Фоторезисторные и фотодиодные (фотогальванические) ФЭПП — одноэлементные, многоэлементные и многоспектральные для широкого спектра электромагнитного излучения, охлаждаемые термоэлектрической батареей и неохлаждаемые.

Конструкция — изолированная, герметизированная.

Интервал рабочих температур ФЭ724-Т — от -45° С до +65° С.

Климатическое исполнение — умеренный и холодный климат (УХЛ).

Фотогальванические приемники ФЭ724-Т применяются в пожарных извещателях пламени, дистанционных измерениях температуры, жидкостных и газовых спектроанализаторах, системах взрывоподавления и др.

Фотоэлементы могут быть изготовлены с одним из «отрезающих» или полосовых оптических фильтров с характеристиками по пропусканию.

Обоз- наче- ние филь- тра	Тип филь- тра	Длина волны максимума пропускания фильтра (±0,02 мкм)	Длина волны, на которой пропускание фильтра составляет 50% от максимума	Длина волны, на которой пропускание фильтра составляет 10% от максимума	Ширина полосы пропускания фильтра на уровне 50% от максимума (±20 нм)	Ширина полосы пропускания фильтра на уровне 10% от максимума (±30 нм)
1	поло- совой	2,98 мкм	от 2,95 мкм до 3,03 мкм	—	70 нм	120 нм
2	поло- совой	3,07 мкм	от 3,01 мкм до 3,14 мкм	—	140 нм	220 нм
3	поло- совой	3,23 мкм	от 3,18 мкм до 3,23 мкм	—	100 нм	160 нм
4	поло- совой	3,278 мкм	от 3,194 мкм до 3,327 мкм	—	90 нм	150 нм
5	поло- совой	3,29 мкм	от 3,18 мкм до 3,4 мкм	—	220 нм	350 нм
6	поло- совой	3,32 мкм	от 3,25 мкм до 3 38 мкм	—	200 нм	320 нм
7	поло- совой	3,4 мкм	от 3,25 мкм до 3,54 мкм	—	280 нм	450 нм
8	поло- совой	3,58 мкм	от 3,51 мм до 3,65 мкм	—	140 нм	230 нм
9	поло- совой	3,9 мкм	от 3,82 мкм до 3,96 мкм	—	140 нм	230 нм
10	поло- совой	4,31 мкм	от 4,21 мкм до 4,41 мкм	—	200 нм	320 нм
11	отре- зающий	—	—	1,6 мкм	—	—
12	отре- зающий	—	—	2,6 мкм	—	—
13	отре- зающий	—	—	0,8 мкм	—	—

Гарантийная наработка — 10 000 ч.

Гарантийный срок хранения — 10 лет.

Габаритные размеры:

— высота — 20,1 мм;

— диаметр — 9,2 мм.

Масса — не более 1 г.

Фотоэлементы ФЭ724-Т изготавливают шести типов, двух вариантов конструкции каждого типа. Они охлаждаются и имеют один каскад термоэлектрической батареи (ТЭБ).

Фотогальванические ФЭПП одноэлементные, многоэлементные и многоспектральные для различных областей спектра имеют ряд преимуществ:

— не требуют источников питания;

— протекание тока только при облучении;

— низкий уровень шумов;

— малый температурный коэффициент чувствительности;

— различные режимы работы (холостой ход и короткое замыкание);

— широкий температурный диапазон.

Различные варианты исполнения фотогальванических приемников ФЭ724-Т включают в себя отдел технического контроля, особо стойкие, приемку заказчика и военную приемку.